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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
72
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2229
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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