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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
72
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2220
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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