RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
72
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2701
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link