RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
64
En -106% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2813
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link