RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
64
En -129% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3535
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link