RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
64
En -137% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3036
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link