RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
64
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,256.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2332
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link