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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En -121% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3698
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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