RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
64
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.7
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,256.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
1768
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link