RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
64
En -28% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2512
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link