RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
64
En -60% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2709
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link