RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3087
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link