RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
90
En 53% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
90
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1546
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link