RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
42
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3437
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link