RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3081
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link