RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3482
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link