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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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