RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
42
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
20
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
4235
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link