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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
67
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
67
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2030
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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