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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
42
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
41
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2154
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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