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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2919
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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