RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2841
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link