RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2544
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link