RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
42
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
19
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3290
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link