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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3473
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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