RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2588
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link