RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3576
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link