RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2792
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link