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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3567
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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