RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
51
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
51
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2387
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link