RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2648
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link