RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3478
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link