RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3563
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link