RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
71
En -173% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3596
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link