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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2659
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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