RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
71
En -238% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2822
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link