RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
71
En -274% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2991
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link