RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3237
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link