RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
71
En -223% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3261
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link