RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3299
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link