RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
71
En -255% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
20
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3726
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link