RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
71
En -255% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.3
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
20
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
19.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
4215
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link