RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3959
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link