RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
71
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
1757
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link