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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2209
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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