RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2605
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link