RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
71
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
51
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2359
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link