RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
71
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2404
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link