RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
86
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
86
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
1469
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link