RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
71
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
54
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2511
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link